구분 : 특허
다종 원소가 공동-도핑된 그래핀 양자점 및 그의 제조방법

Multiple elements co-doped graphene quantum dot and manufacturing method thereof

페이지 정보

등록번호
10-2338793
등록일자
2021-12-08
국가
대한민국
발명자
문준희 | 김재영 | 심욱 | 심예린 | 김승제 | 전철호
발명의 내용
○ 본 발명은  질소 및 불소가 공동 도핑된 그래핀 양자점을 개시함.
○ 그래핀 양자점은 화학기상증착법으로 N 도핑 및 상압 플라즈마를 이용한 F 도핑을 통하여 각 원소의 도핑 농도 제어가 가능함.
○ 수전해 반응인 수소 및 산소 발생반응의 전극 촉매 및 슈퍼커패시터 양극으로의 우수한 특성을 보임.